Էլեկտրական հոսանք է կիսահաղորդիչների

Էլեկտրական հոսանք կիսահաղորդիչների - ուղղված է շարժը անցքերի ու էլեկտրոնների, որոնք ազդել են էլեկտրական դաշտի:

Որպես փորձերի արդյունքում նշվեց, որ էլեկտրական հոսանքը կիսահաղորդիչների չի ուղեկցվում փոխանցման հարցում, նրանք չեն ներառում որեւէ քիմիական փոփոխություններ: Այսպիսով, կրիչները, էլեկտրոնները կարելի է համարել կիսահաղորդիչների.

Ունակությունը նյութի ձեւավորել է դրան էլեկտրական հոսանք կարող է որոշվել կոնկրետ ջերմահաղորդություն: Ըստ այս ցուցանիշի դիրիժորների զբաղեցնում է միջանկյալ պաշտոն միջեւ դիրիժորների եւ insulators. Կիսահաղորդիչների - սրանք տարբեր տեսակի օգտակար հանածոների, որոշ մետաղների սուլֆիդների եւ այլն Էլեկտրական հոսանք կիսահաղորդիչների ծագում է համակենտրոնացում ազատ էլեկտրոնների, որը կարող է շարժվել directionally է մի նյութ: Համեմատելով մետաղներ եւ դիրիժորներ, կարելի է նշել, որ կա մի տարբերություն ջերմաստիճանի ազդեցության իրենց ջերմահաղորդություն: Աճել է ջերմաստիճանի հանգեցնում է նվազմանը այն ջերմահաղորդություն մետաղների. Կիսահաղորդիչներում անցկացնելու աճ: Եթե կիսահաղորդչային ջերմաստիճանի բարձրացման, որ միջնորդությունը ազատ էլեկտրոնների կլինի ավելի անկայուն է: Սա պայմանավորված է աճի թվի բախումների: Սակայն, կիսահաղորդիչների համեմատ մետաղների, այն էականորեն աճել ցուցադրման խտությունը ազատ էլեկտրոնների: Այս գործոնները ունեն հակառակ ազդեցություն են ջերմահաղորդություն: Որքան ավելի շատ բախումները, փոքր ջերմահաղորդություն, այնքան մեծ կոնցենտրացիան, այնքան բարձր է դա: Ի մետաղների, չկա կախվածություն միջեւ ջերմաստիճանի եւ կենտրոնացումը ազատ էլեկտրոնների, այնպես որ փոփոխությունը ջերմահաղորդություն աճող ջերմաստիճանի միայն նվազեցնում է հավանականությունը, պատվիրված միջնորդությամբ ազատ էլեկտրոնների: Ինչ վերաբերում է կիսահաղորդչային, ցուցադրման ուժի կոնցենտրացիայի բարձրացում ավելի բարձր: Այսպիսով, ջերմաստիճանի բարձրացումը կլինի ավելի մեծ, այնքան մեծ է ջերմահաղորդություն:

Կա մի փոխհարաբերությունները շարժման մեղադրանքը կրիչների եւ ժամկետով, ինչպիսիք են էլեկտրական հոսանքի կիսահաղորդիչների: Կիսահաղորդիչների, գանձել կրողներն բնութագրվում է տեսքը տարբեր գործոնների, որոնց թվում են կրիտիկական ջերմաստիճանը եւ մաքրության նյութի: Մաքրության կիսահաղորդիչների բաժանվում են ոչ էական եւ սեփական.

Ինչ վերաբերում է իր սեփական դիրիժոր, այդ ազդեցությունը impurities է որոշակի ջերմաստիճանում չի կարող լինել էական նրանց համար: Քանի որ խումբը բացը կիսահաղորդիչների ցածր է, որպես ներքին կիսահաղորդչային, երբ ջերմաստիճանը հասնում է բացարձակ զրոյի, կա մի ամբողջական լցնում է Վալանս քաղաքում էլեկտրոնների: Բայց անցկացումը խումբը ամբողջովին անվճար է: չկա էլեկտրական ջերմահաղորդություն, եւ այն գործում է որպես իդեալական մեկուսիչ: Ժամը Այլ ջերմաստիճանների, կա հավանականություն, որ ջերմային տատանումները կոնկրետ էլեկտրոնների կարող է հաղթահարել պոտենցիալ արգելքը եւ հայտնվել է անցկացնելու խմբի:

thomson ազդեցություն

Սկզբունքը thermoelectric Thomson ուժի մեջ հոսանք կիսահաղորդիչների, որի երկայնքով կա ջերմաստիճանը գրադիենտ է նրանց, բացառությամբ Joule ջերմային ազատ արձակելու կամ կլանման հետագա գումարների ջերմության տեղի կունենա, կախված այն ուղղությամբ, որը ընթացիկ կհոսեն:

Անբավարար միասնական նմուշի ջեռուցման, ունենալով համասեռ կառույց ազդում է իր հատկությունները, որով նյութական դառնում ոչ միասնական: Այսպիսով, Thomson ազդեցություն է հատուկ երեւույթ Peltier: Միակ տարբերությունն այն է, որ զանազան ոչ քիմիական բաղադրությունը նմուշի եւ ջերմաստիճանի ինքնատիպության սա է տարասեռությունը: